I transistor sono componenti, di materiale semiconduttore, che possono essere impiegati come amplificatori di segnali elettrici oppure come interruttori elettronici.
Il nome "transistor" deriva dall'unione dei termini: "TRANSfer" e "resISTOR".
BJT - Transistor a giunzione bipolare
Nel 1947, due ricercatori dei laboratori Bell Labs, Walter Brattain e John Bardeen, sotto la guida di William Shockley realizzarono il primo prototipo funzionante di transistor con contatti a punte.
Successivamente, nel 1949, William Shockley formulò la teoria del "sandwich transistor", meglio conosciuto come "transistor a giunzione bipolare" (BJT).
Per queste invenzioni, nel 1956, ai tre ricercatori venne assegnato il premio Nobel per la Fisica.
Le loro ricerche erano basate sul semiconduttore di germanio, ma una decina di anni dopo, la produzione di transistor, si orientò verso l'utilizzo del semiconduttore di silicio.
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 I primi transistor al Germanio erano fatti così. |
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 Transistor al Germanio |
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 Transistor al Silicio |
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Il transistor bipolare, è un semiconduttore formato da due giunzioni ed è il più importante dispositivo elettronico allo stato solido.
Essenzialmente, può considerarsi formato da due diodi collegati come indicato in figura.
I terminali sono tre, e cioè: l'emettitore-base viene polarizzato in senso diretto; quello base-collettore in senso inverso.
I materiali semiconduttori, con cui è stato fatto il transistore, sono stati, inizialmente il germanio e, successivamente, il silicio.
I transistor si suddividono in due categorie: npn e pnp.
Il BJT è un dispositivo comandato in corrente.
Una piccola corrente circolante tra i terminali Base-Emettitore, controlla una corrente, molto più alta, che circola nei terminali Collettore-Emettitore.
Per questa ragione si dice "che amplifica" in corrente.
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FET - Transistor
ad effetto di campo
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Esistono due diverse tipologie di transistor: il transistor a giunzione bipolare ed il transistor ad effetto di campo.
Il FET (transistor
ad effetto di campo)
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MOSFET
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I MOSFET sono particolari FET realizzati con la tecnica MOS, Metal-Oxide Semiconductor |
